左圖在控制端從低電平往高電平切換時(shí)，Vbe>0，Q2關(guān)斷，充電電流從二極管D流入，...左圖在控制端從低電平往高電平切換時(shí)，Vbe>0，Q2關(guān)斷，充電電流從二極管D流入，Q1開(kāi)啟；右圖在控制端從高電平往低電平切換時(shí)，G極電平不會(huì)瞬間變化，此時(shí)Vbe<-0.7...
襯底材料對(duì)MOSFET的閾值電壓有顯著影響。例如，普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，...襯底材料對(duì)MOSFET的閾值電壓有顯著影響。例如，普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但在高溫、高電場(chǎng)下易發(fā)生擊穿，從而降低了閾值電壓。因此，一些高溫處理的MOSFET采...
KNH9120A場(chǎng)效應(yīng)管采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS（...KNH9120A場(chǎng)效應(yīng)管采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗和發(fā)熱，具有低柵極電...
MOSFET的關(guān)斷時(shí)間與其柵極電容（Cgs）有關(guān)。減小柵極電容可以減少充放電時(shí)間，...MOSFET的關(guān)斷時(shí)間與其柵極電容（Cgs）有關(guān)。減小柵極電容可以減少充放電時(shí)間，從而加速關(guān)斷過(guò)程。這可以通過(guò)優(yōu)化布局、使用更小的柵極面積或選擇具有更低柵極電容...
提高驅(qū)動(dòng)電路提供的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流，增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可以加速M(fèi)OSFET的開(kāi)啟和關(guān)...提高驅(qū)動(dòng)電路提供的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流，增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可以加速M(fèi)OSFET的開(kāi)啟和關(guān)斷過(guò)程。減小柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg可以提供更大的瞬態(tài)電流，從而加快MOSFET的開(kāi)關(guān)速度。而...
KNF4390A采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓900V，漏極電流4A，能夠承受高達(dá)9...KNF4390A采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓900V，漏極電流4A，能夠承受高達(dá)900伏特的電壓，適用于需要高耐壓的應(yīng)用場(chǎng)景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低...
