3203場效應管,30v pmos,dfn56,KPY3203D參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-12
KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽技術，極低的導通電阻RDS(on)=3.5mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；100%EAS保證、CdV/dt效應顯著下降、綠色設備可用，符合環保要求；具有高輸入電阻、低噪聲、低功耗和快速響應?特性，專用于電機控制和驅動、電動工具中；封裝形式：DFN5x6。
漏源電壓：-30V
漏極電流：-100A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-400A
單脈沖雪崩能量：312MJ
功率耗散：62.5W
閾值電壓：-1.7V
總柵極電荷：130nC
輸入電容：7500PF
輸出電容：1000PF
反向傳輸電容：900PF
開通延遲時間：22nS
關斷延遲時間：110nS
上升時間：30ns
下降時間：40ns
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