大功率MOS管650V12A KIA12N65H-描述 KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET適用...大功率MOS管650V12A KIA12N65H-描述 KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速功率開(kāi)關(guān)，如高效開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮渔?zhèn)...
600V9.5A MOS管KIA10N60H-描述 KIA10N6OHN溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET適用于高電...600V9.5A MOS管KIA10N60H-描述 KIA10N6OHN溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速功率開(kāi)關(guān)如高效開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋到全橋的電子燈鎮(zhèn)流器...
所謂的 H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的 H 橋電路，它由 2 ...所謂的 H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的 H 橋電路，它由 2 個(gè) P型場(chǎng)效應(yīng)管 Q1、Q2 與 2 個(gè) N 型場(chǎng)效應(yīng)管 Q3、Q3 組成，所以它叫 P-NMOS 管 H 橋...
MOS管原廠KNX4760A 600V8A-產(chǎn)品特征 專(zhuān)業(yè)平面新技術(shù) RDS(ON),typ.=0.85Ω@VG...MOS管原廠KNX4760A 600V8A-產(chǎn)品特征 專(zhuān)業(yè)平面新技術(shù) RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V 低柵極電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化 快恢復(fù)體二極管
（1） 當(dāng)V1輸入高電平時(shí)，Q1、Q4導(dǎo)通，B通道輸出高電平，Q2截止，C通道輸出高電...（1） 當(dāng)V1輸入高電平時(shí)，Q1、Q4導(dǎo)通，B通道輸出高電平，Q2截止，C通道輸出高電平，Q3導(dǎo)通，D通道輸出高電平48V，由于C2兩端電壓14V，所以Q3的導(dǎo)通使電容抬升了VD...
功率MOS管作為常用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其驅(qū)動(dòng)方式有什么特點(diǎn)呢？首先，我們認(rèn)為MOS管...功率MOS管作為常用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其驅(qū)動(dòng)方式有什么特點(diǎn)呢？首先，我們認(rèn)為MOS管是電壓控制型器件，其正常工作時(shí)是不需要電流的（開(kāi)或關(guān)的穩(wěn)態(tài)條件下），只要有維持...
