KCD3008A場效應管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術，極低導...KCD3008A場效應管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少開關損耗，提高效率；優秀的柵極電荷xRDS（...
穩壓電源 由V3（TL431），Q3等元件組成，從36V蓄電池經過串聯穩壓后得到+12V電...穩壓電源 由V3（TL431），Q3等元件組成，從36V蓄電池經過串聯穩壓后得到+12V電壓，給控制電路供電，調節VR6可校準+12V電源。
輸入過壓保護主要針對的是雷擊或市電沖擊產生的浪涌。當DC電壓通過“+48V、GNG...輸入過壓保護主要針對的是雷擊或市電沖擊產生的浪涌。當DC電壓通過“+48V、GNG”兩端進入電路，并經過R1電阻進行限流時，若后續線路發生短路，R1的電流會增大，進...
KCP2920A場效應管采用SGT MOSFET工藝，??漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A；新...KCP2920A場效應管采用SGT MOSFET工藝，??漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A；新型溝槽技術，低導通電阻RDS(開啟) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低柵極電荷，最小化開...
通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運用輸入輸出端口，既可以...通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運用輸入輸出端口，既可以實現降壓功能，也可以實現升壓功能。它由兩個MOS管和兩個二極管組成。
逆變器：通過控制開關器件（如IGBT、MOSFET）的通斷，生成脈寬調制（PWM）波形...逆變器：通過控制開關器件（如IGBT、MOSFET）的通斷，生成脈寬調制（PWM）波形，合成所需頻率和幅值的交流電。其電路復雜度通常高于整流器。
