通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數調整并不...通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數調整并不是十分關注，尤其是從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在...
閂鎖效應 (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產生低阻抗路徑的條件，這種低...閂鎖效應 (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產生低阻抗路徑的條件，這種低阻抗路徑可能會由于過大的電流水平而導致系統紊流或災難性損壞。本文介紹閂鎖效應產...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極...IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有功...
下面要介紹的是單片機電路里面經常用到的一個MOS管組合控制電路，由一個增強型...下面要介紹的是單片機電路里面經常用到的一個MOS管組合控制電路，由一個增強型NMOS管和一個增強型PMOS管組成，IO_CON是接到單片機(單片機供電3.3V)的IO口上，單片...
通常我們的電子產品，為防止用戶將正負極接反，會對接口做防反接保護。比如接口...通常我們的電子產品，為防止用戶將正負極接反，會對接口做防反接保護。比如接口做成梯形或者開個缺口，反了不容易插進，對于一些工控類產品，只提供接線端子的方式...
功率MOS管自身擁有眾多優點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在...功率MOS管自身擁有眾多優點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可...
