到當(dāng)輸入電源斷開的瞬間，如果LDO的輸入電壓的下降速度遠(yuǎn)高于LDO的輸出電壓下降...到當(dāng)輸入電源斷開的瞬間，如果LDO的輸入電壓的下降速度遠(yuǎn)高于LDO的輸出電壓下降速度的時候，比如LDO輸出端有容性大負(fù)載時，很可能會出現(xiàn)輸出的電壓高于輸入電壓，...
下面是一個基于N溝道MOSFET的反向保護(hù)電路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在電源...下面是一個基于N溝道MOSFET的反向保護(hù)電路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在電源的負(fù)極端。其中漏極D必須接到電源的負(fù)極。源極S必須連接到設(shè)備的地，柵極則必須連接...
MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-...MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導(dǎo)體（電容）做柵極；
FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;柵極（Gate），是個門，閥門，打開...FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;柵極（Gate），是個門，閥門，打開FET，電子就流動，關(guān)上閥門，電子就不流動。 漏極（Drain），電子流出FET；電子是負(fù)...
IO進(jìn)行控制：高電平轉(zhuǎn)動，低電平停止。 IO口高電平時：三極管集電級和發(fā)射級導(dǎo)...IO進(jìn)行控制：高電平轉(zhuǎn)動，低電平停止。 IO口高電平時：三極管集電級和發(fā)射級導(dǎo)通，電機(jī)能量來源于VCC輸入，足以滿足電機(jī)工作。
直流充電樁一般由通信模塊、開關(guān)電源模塊及控制模塊等構(gòu)成。其中，MOSFET是開關(guān)...直流充電樁一般由通信模塊、開關(guān)電源模塊及控制模塊等構(gòu)成。其中，MOSFET是開關(guān)電源模塊中最核心的部分，是實(shí)現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換，確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關(guān)鍵器件。...
