MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。另外...MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。另外，IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣，兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在...
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)...MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一...
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線性電容器。對(duì)柵極電容充電會(huì)使功率器件...IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線性電容器。對(duì)柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通并允許電流在其漏極和源極端子之間流動(dòng)，而放電時(shí)，它會(huì)關(guān)閉器件，然后可能會(huì)在...
在反激電路中，一旦 MOSFET 管關(guān)斷，變壓器就會(huì)將原邊的能量傳輸?shù)礁边叄└?..在反激電路中，一旦 MOSFET 管關(guān)斷，變壓器就會(huì)將原邊的能量傳輸?shù)礁边叄└心芰繀s無法被轉(zhuǎn)移，這會(huì)導(dǎo)致電路中的雜散電容產(chǎn)生振鈴。漏感是產(chǎn)生振鈴的根本原因，...
上面的原理圖是同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化圖。所有寄生電感都集中在一起，顯示為L(zhǎng)ck...上面的原理圖是同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化圖。所有寄生電感都集中在一起，顯示為L(zhǎng)ckt。如上所述，它們包括走線電感和封裝電感。與Lck成環(huán)的寄生電容主要來自處于關(guān)斷狀...
