NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs...NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs=0時(shí)，漏極和源極之間無(wú)電流（PN結(jié)擊穿情況等不考慮）。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_(kāi)器件，因此燈負(fù)載要么“打開(kāi)”，...柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_(kāi)器件，因此燈負(fù)載要么“打開(kāi)”，（V GS = +ve），要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平，（V GS = 0V）。
對(duì)于像mos管這樣的半導(dǎo)體器件，要充當(dāng)理想的開(kāi)關(guān)，它必須具有以下特性：在 ON ...對(duì)于像mos管這樣的半導(dǎo)體器件，要充當(dāng)理想的開(kāi)關(guān)，它必須具有以下特性：在 ON 狀態(tài)下，它可以承載的電流量不應(yīng)有任何限制。
MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致...MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，泄漏電流...
在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱為：“transit...在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱為：“transit frequency”(fT)截止頻率
