1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此設計時，需保證Vbe＞0.7V，這個是導通...1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此設計時，需保證Vbe＞0.7V，這個是導通條件）；但三極管導通時Vbe= 0.7V左右
壓控：是指電壓作為控制信號，理想狀態下，對于MOS只要VGS的電壓滿足開啟要求(...壓控：是指電壓作為控制信號，理想狀態下，對于MOS只要VGS的電壓滿足開啟要求(Vth)，MOS管就導通
NMOS當下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的...NMOS當下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導通或截止，因為MOS管導通的條件取決于VGS的壓差。
KIA半導體生產的KIA740H熱銷于逆變器后級電路應用中，優質高效；KIA740H N溝道...KIA半導體生產的KIA740H熱銷于逆變器后級電路應用中，優質高效；KIA740H N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如開關穩壓器、開關轉換...
充電開始時，應先檢測待充電電池的電壓，如果電壓低于3V，要先進行預充電，充電...充電開始時，應先檢測待充電電池的電壓，如果電壓低于3V，要先進行預充電，充電電流為設定電流 的1/10，一般選0.05C左右。電壓升到3V后，進入標準充電過程。
