當半導體內沒有能帶彎曲時所加的柵壓，此時表面勢為零,凈空間電荷為零，但由于...當半導體內沒有能帶彎曲時所加的柵壓，此時表面勢為零,凈空間電荷為零，但由于功函數差和氧化層內可能存在的陷阱電荷，此時穿過氧化物的電壓不一定為零。
主要在恒流負載的驅動下，假設電流比較大，階躍速度比較快。此時由于二極管尚未...主要在恒流負載的驅動下，假設電流比較大，階躍速度比較快。此時由于二極管尚未完全導通，導致阻抗較高，因此會引起比較高的正向壓降，在做大電流，快速階躍的應用...
單片機是由微處理器、存儲器、輸入輸出接口、定時計數器、模擬數字轉換器等多種...單片機是由微處理器、存儲器、輸入輸出接口、定時計數器、模擬數字轉換器等多種功能模塊組成的微型計算機系統。它的核心部分是微處理器，它可以執行各種指令，進行...
剩余電流動作保護裝置（RCD）是具有漏電保護功能的開關設備，當電氣線路和電氣...剩余電流動作保護裝置（RCD）是具有漏電保護功能的開關設備，當電氣線路和電氣設備發生單相接地故障時，利用這個剩余電流來動作切斷故障線路和電氣設備電源的保護...
當驅動開通脈沖加到MOSFET的G極和S極，等效于給輸入電容Ciss充電(由于Cgs>>Cgd...當驅動開通脈沖加到MOSFET的G極和S極，等效于給輸入電容Ciss充電(由于Cgs>>Cgd，主要是為Cgs充電)，由于輸入電容的存在，VGS只能以一定的斜率上升，這也是限制MOS...
