在輸入控制回路中,電阻R1串接在IC1光電耦合器輸入端對其發(fā)光管進(jìn)行限流保護(hù),...在輸入控制回路中,電阻R1串接在IC1光電耦合器輸入端對其發(fā)光管進(jìn)行限流保護(hù),發(fā)光管LED對輸入控制信號給予指示,VD1對輸入端的反偏電壓進(jìn)行保護(hù)。當(dāng)控制端無信號...
KCP2915B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V,漏極電流130A,采用先進(jìn)的SGT、溝槽MOS技術(shù)...KCP2915B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V,漏極電流130A,采用先進(jìn)的SGT、溝槽MOS技術(shù)設(shè)計(jì),高效率低損耗;極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 7.3mΩ,低柵極電荷,可最大限度地減少導(dǎo)...
輸入信號處理:電機(jī)控制器接收來自外部的控制信號,如模擬信號、數(shù)字信號等。這...輸入信號處理:電機(jī)控制器接收來自外部的控制信號,如模擬信號、數(shù)字信號等。這些信號經(jīng)過處理后,用于控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。 微處理器控制:微處理器是電機(jī)控制器...
MOSFET的閾值電壓Vgs(th)具有負(fù)溫度系數(shù),這意味著隨著溫度的升高,閾值電壓會...MOSFET的閾值電壓Vgs(th)具有負(fù)溫度系數(shù),這意味著隨著溫度的升高,閾值電壓會降低。這是因?yàn)闇囟壬邥?dǎo)致半導(dǎo)體材料中的載流子濃度增加,使得溝道中的載流子更...
SSP10065A碳化硅二極管10a/650v參數(shù),具有更高的過電壓安全裕度、提高了所有負(fù)...SSP10065A碳化硅二極管10a/650v參數(shù),具有更高的過電壓安全裕度、提高了所有負(fù)載條件下的效率、與硅二極管替代品相比提高了效率、降低散熱器要求、無熱失控的并聯(lián)...